高技术中心王琦安一行赴中科院物理所调研座谈
  作者:    文章来源:科技部     点击数:     更新时间:2012-12-13 【字体:

本网讯
  20121130,高技术中心王琦安副主任率中心计划处、材料处、先进制造处和基础研究一处一行6人赴中科院物理所就相关领域基础研究和前沿技术研究工作进行调研和座谈。
  王琦安副主任一行首先参观了激光角分辨光电子能谱、拓扑绝缘体制备表征设备和碳化硅晶体生长及加工车间, 随后与物理所10多位专家和科研人员进行了座谈。中科院物理所王玉鹏所长、文亚副所长、凝聚态物理国家实验室李泓副主任、戴希副主任等参加了会议。会上,李泓副主任做了关于物理所基础研究、前沿技术研究等方面取得的进展以及今后展望的报告,何豫生研究员等5位专家就高温超导滤波器前端应用、锂离子电池关键新材料技术、纳米石墨烯生长与应用、拓扑绝缘体研究现状与展望、三级太阳能电池等技术等做了专题报告。高技术中心参会代表就十二五”973计划、863计划管理改革、计划衔接等方面情况,与物理所领导和专家进行了交流和讨论,听取了相关意见和建议。
  在听取报告及讨论后,王琦安副主任对物理所在基础研究和前沿技术研究所取得的成绩和国际上学术地位给予了充分肯定,建议物理所在今后发展中做好战略布局,坚持前沿性、前瞻性、战略性,用十年磨剑终成锋的精神,坚持和巩固优势的研究领域,并推动应用研究的发展,在国家科技创新与经济发展发展中发挥更大的作用。

 

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